1N5770

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 60V 0.5A 10PIN CFLATPACK - Bulk

1N5770 技術(shù)參數(shù)

1N5768 功能描述:TVS DIODE 10CFP 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售類型:轉(zhuǎn)向裝置（軌至軌）單向通道:8 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:- 電壓 - 擊穿（最小值）:- 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:- 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:無應用:以太網(wǎng) 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:10-CFlatPack 供應商器件封裝:10-CFlatPack 標準包裝:1 1N5767#T25 功能描述:DIODE PIN RF SWITCH 100V AXIAL 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:100V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.4pF @ 50V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:2.5 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:- 標準包裝:2,500 1N5767 功能描述:DIODE PIN RF SWITCH 100V AXIAL 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:100V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.4pF @ 50V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:2.5 歐姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:- 標準包裝:100 1N5757D 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 53V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5757C 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 53V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5806/TR 1N5806C.TR 1N5806E3/TR 1N5806TR 1N5806US 1N5806US/TR 1N5806USE3 1N5806USE3/TR 1N5807 1N5807US 1N5808 1N5809 1N5809/TR 1N5809US 1N5809US.TR 1N5811 1N5811C.TR 1N5811TR