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1N5806E3/TR

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  • 功能描述
  • UFR,FRR
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
  • 150V
  • 電流 - 平均整流（Io）
  • 2.5A
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf
  • 975mV @ 2.5A
  • 速度
  • 快速恢復(fù) = 200mA（Io）
  • 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
  • 25ns
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 1μA @ 150V
  • 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容
  • 25pF @ 10V，1MHz
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • A，軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • A，軸向
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 175°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 100
1N5806E3/TR 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5806C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5806/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:A，軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N5806 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 3.3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:3.3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5805 功能描述:DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 125V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5804US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應(yīng)商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5809/TR 1N5809US 1N5809US.TR 1N5811 1N5811C.TR 1N5811TR 1N5811US 1N5811US/TR 1N5812 1N5812R 1N5813 1N5813R 1N5814 1N5814R 1N5815 1N5815R 1N5816 1N5816R
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