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1N5742D

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 18V 1% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 18V 500MW DO-35
1N5742D 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5742C 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:18V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5742B 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5741D 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:16V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 11V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5741C 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:16V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 11V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5741B 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 11V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5746B 1N5746C 1N5746D 1N5747B 1N5747C 1N5747D 1N5748B 1N5748C 1N5748D 1N5749B 1N5749C 1N5749D 1N5750B 1N5750C 1N5750D 1N5751B 1N5751C 1N5751D
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