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1N5729C

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 5.1V 2% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 5.1V 500MW DO-35
1N5729C 技術參數
  • 1N5729B 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5728D 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5728C 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5728B 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5719 功能描述:DIODE PIN GEN PURP SW 150V AXIAL 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 二極管類型:PIN - 單 電壓 - 峰值反向(最大值):150V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr,F 時的電容:0.3pF @ 100V,1MHz 不同?If,F 時的電阻:1.25 歐姆 @ 100mA,100MHz 功率耗散(最大值):250mW 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:- 標準包裝:100 1N5732D 1N5733B 1N5733C 1N5733D 1N5734B 1N5734C 1N5734D 1N5735B 1N5735C 1N5735D 1N5736B 1N5736C 1N5736D 1N5737B 1N5737C 1N5737D 1N5738B 1N5738C
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