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1N5407G R0G

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1N5407G R0G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 800V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 3A
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 1V @ 3A
  • 速度
  • 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 800V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容
  • 25pF @ 4V,1MHz
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-201AD,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-201AD
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -55°C ~ 150°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,250
1N5407G R0G 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5407G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 1N5407G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5407-G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-27(DO-201AD) 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 1N5407G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 1N5407-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:30pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5407-T 1N5407TA 1N5407-TP 1N5408 1N5408-B 1N5408-E3/51 1N5408-E3/54 1N5408-E3/73 1N5408G 1N5408-G 1N5408G A0G 1N5408G B0G 1N5408G R0G 1N5408GHA0G 1N5408GHB0G 1N5408GHR0G 1N5408GP-E3/54 1N5408GP-TP
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