1N5407G A0G

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
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說明
操作

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功能描述
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
二極管類型
標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
800V
電流 - 平均整流（Io）
3A
不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf
1V @ 3A
速度
標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
5μA @ 800V
不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容
25pF @ 4V，1MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-201AD，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-201AD
工作溫度 - 結(jié)
-55°C ~ 150°C
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

1N5407G A0G 技術(shù)參數(shù)

1N5407-G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-27（DO-201AD）工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 1N5407G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 1N5407-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5407-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5407-E3/51 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N5407RL 1N5407RLG 1N5407-T 1N5407TA 1N5407-TP 1N5408 1N5408-B 1N5408-E3/51 1N5408-E3/54 1N5408-E3/73 1N5408G 1N5408-G 1N5408G A0G 1N5408G B0G 1N5408G R0G 1N5408GHA0G 1N5408GHB0G 1N5408GHR0G