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1N4448W RHG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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1N4448W RHG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 75V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 150mA(DC)
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 1V @ 100mA
  • 速度
  • 小信號 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢復(fù)時間(trr)
  • 4ns
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 75V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容
  • 4pF @ 0V,1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SOD-123F
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SOD-123F
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 150°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 3,000
1N4448W RHG 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4448TR_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4448TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4448-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4448TAP 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:720mV @ 5mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時間(trr):8ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4448-T 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):500mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4448WS 1N4448WS RRG 1N4448WS-7 1N4448WS-7-F 1N4448WS-E3-08 1N4448WS-E3-18 1N4448WSF-7 1N4448WSFQ-7 1N4448WS-G3-08 1N4448WS-G3-18 1N4448WS-HE3-08 1N4448WS-HE3-18 1N4448WSQ-7-F 1N4448WSTR 1N4448WT 1N4448W-TP 1N4448WTR 1N4448WX-TP
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