1N4460 TR

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功能描述
DIODE ZENER 6.2V 1.5W DO41
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
6.2V
容差
±5%
功率 - 最大值
1.5W
阻抗（最大值）（Zzt）
4 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
20μA @ 3.72V
工作溫度
-65°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AL，DO-41，軸向
供應商器件封裝
DO-41
標準包裝
5,000

1N4460 TR 技術參數(shù)

1N4460 BK 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1.5W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 3.72V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:2,000 1N4460 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N4459R 功能描述:Diode Standard, Reverse Polarity 1000V (1kV) 15A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/162 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-203AA（DO-4）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4459 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 15A DO203AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-203AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4458R 功能描述:Diode Standard, Reverse Polarity 800V 15A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/162 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:15A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 15A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應商器件封裝:DO-203AA（DO-4）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4463 1N4463 BK 1N4463US 1N4464 1N4464 BK 1N4464US 1N4465 1N4465 BK 1N4465 TR 1N4465US 1N4466 1N4466 BK 1N4466 TR 1N4466US 1N4467 1N4467 BK 1N4467 TR 1N4467US