1N4448 A0G

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

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功能描述
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包裝
帶盒（TB）
零件狀態(tài)
在售
二極管類型
標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
100V
電流 - 平均整流（Io）
150mA
不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf
720mV @ 5mA
速度
小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）
4ns
不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
5μA @ 75V
不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容
4pF @ 0V，1MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-35
工作溫度 - 結(jié)
-65°C ~ 150°C
標(biāo)準(zhǔn)包裝
5,000

1N4448 A0G 技術(shù)參數(shù)

1N4448 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 1N4447TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4447 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 20mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4446TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 20mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4446_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 20mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 1N4448HLP-7 1N4448HWS-13-F 1N4448HWS-7 1N4448HWS-7-F 1N4448HWT-7 1N4448-T 1N4448TAP 1N4448-TP 1N4448TR 1N4448TR_S00Z 1N4448W RHG 1N4448W-7 1N4448W-7-F 1N4448W-E3-08 1N4448W-E3-18 1N4448W-G3-08 1N4448W-G3-18 1N4448W-HE3-08