1N4370A BK

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功能描述
DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
2.4V
容差
-
功率 - 最大值
500mW
工作溫度
-
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
2,500

1N4370A BK 技術(shù)參數(shù)

1N4370A 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N4370 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N4305TR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:10,000 1N4305-1 功能描述:DIODE SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:1 1N4305_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 10mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大）標準包裝:30,000 1N4372 1N4372A 1N4372A_T50A 1N4372A_T50R 1N4383GP-E3/54 1N4383GPHE3/54 1N4384GP-E3/54 1N4384GP-E3/73 1N4384GPHE3/54 1N4384GPHE3/73 1N4385GP-E3/54 1N4385GPHE3/54 1N4436 1N4437_FT 1N4444-1 1N4446 1N4446 TR 1N4446_T50R