1N4001 TR

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功能描述
DIODE GEN PURPOSE DO41
制造商
central semiconductor corp
系列
*
零件狀態(tài)
生命周期結(jié)束
標(biāo)準(zhǔn)包裝
5,000

1N4001 TR 技術(shù)參數(shù)

1N4001 BK 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 1N4001 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3999A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3999 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3998A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗（最大值）（Zzt）:1.1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA（DO-4）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4001-G 1N4001G A0G 1N4001G B0G 1N4001G BK 1N4001G R0G 1N4001G R1G 1N4001GHA0G 1N4001GHB0G 1N4001GHR0G 1N4001GHR1G 1N4001GL-T 1N4001GP 1N4001GP-E3/54 1N4001GP-E3/73 1N4001GPE-E3/54 1N4001GPE-E3/73 1N4001GPE-E3/91 1N4001GPEHE3/54