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1N4001 BK

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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1N4001 BK PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURPOSE DO41
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • *
  • 零件狀態(tài)
  • 生命周期結(jié)束
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 50V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 1A
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.1V @ 1A
  • 速度
  • 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢復(fù)時間(trr)
  • -
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 50V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容
  • -
  • 安裝類型
  • *
  • 封裝/外殼
  • *
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • *
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 175°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 2,000
1N4001 BK 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4001 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3999A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3999 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3998A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):1.1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA(DO-4) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3998 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4001G 1N4001-G 1N4001G A0G 1N4001G B0G 1N4001G BK 1N4001G R0G 1N4001G R1G 1N4001GHA0G 1N4001GHB0G 1N4001GHR0G 1N4001GHR1G 1N4001GL-T 1N4001GP 1N4001GP-E3/54 1N4001GP-E3/73 1N4001GPE-E3/54 1N4001GPE-E3/73 1N4001GPE-E3/91
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