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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 015AZ6.8-Z |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述： | 東芝半導(dǎo)體硅外延平面型 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | 015AZ6.8-Z |
015AZ2.0~015AZ12
2001-10-30
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
l Small package
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
P*
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,
Pad dimension of 4 × 4mm.
Electrical Characteristics
(See Page 2~3)
Marking
Example 1: 015AZ12-
×
Example 2: 015AZ12-
×
Pin Assignment (top view)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 1.4 mg
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 015AZ6.2X | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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| 015AZ6.8X | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ6.8Y | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 015AZ7.5-X(TH3,F,T | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 7.5volts 150mW 2Pin RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 015AZ7.5-Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ7.5-Z | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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