參數(shù)資料
型號： 015AZ12-Z
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
中文描述： 東芝半導體硅外延平面型
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 172K
代理商： 015AZ12-Z
015AZ2.0~015AZ12
2001-10-30
1
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
015AZ2.0~015AZ12
Constant Voltage Regulation Applications
l Small package
l Nominal voltage tolerance about ±2.5%
(2.0V~12V)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
P*
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
* Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,
Pad dimension of 4 × 4mm.
Electrical Characteristics
(See Page 2~3)
Marking
Example 1: 015AZ12-
×
Example 2: 015AZ12-
×
Pin Assignment (top view)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 1.4 mg
相關PDF資料
PDF描述
03K17R-001D3 0 MHz - 26500 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION
03P2J-T1B 0.47 A, 200 V, SCR
015AZ2.4 2.4V,Zener Diode(for Constant Voltage Regulation Application)(2.4V,用于持續(xù)穩(wěn)壓的齊納二極管)
03P2J-T2B 0.47 A, 200 V, SCR
03P4J-T1B 0.47 A, 400 V, SCR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
015AZ13-X(TH3,F,T) 功能描述:穩(wěn)壓二極管 13V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
015AZ15-X(TH3,F,T) 功能描述:穩(wěn)壓二極管 15V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
015AZ16-X(TH3,F,T) 功能描述:穩(wěn)壓二極管 16V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
015AZ18-X(TH3,F,T) 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
015AZ2 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Diode Silicon Epitaxial Planar Type
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