參數(shù)資料
型號(hào): μPD431008
廠商: NEC Corp.
英文描述: 1M-Bit CMOS Fast Static RAM(1M位CMOS 快速靜態(tài))
中文描述: 100萬(wàn)位的CMOS高速靜態(tài)RAM(100萬(wàn)位的CMOS快速靜態(tài))
文件頁(yè)數(shù): 8/14頁(yè)
文件大小: 91K
代理商: ΜPD431008
8
μ
PD431008
Write Cycle
μ
PD431008LE-15
μ
PD431008LE-17
μ
PD431008LE-20
Parameter
Symbol
Unit
Condition
MIN.
MAX .
MIN.
MAX .
MIN.
MAX .
Write cycle time
t
WC
15
17
20
ns
CS to end of write
t
CW
10
11
12
ns
Address valid to end of write
t
AW
9
11
12
ns
Write pulse width
t
WP
9
10
10
ns
Data valid to end of write
t
DW
8
9
10
ns
Data hold time
t
DH
0
0
0
ns
Address setup time
t
AS
0
0
0
ns
Write recovery time
t
WR
0
0
0
ns
WE to output in high-Z
t
WHZ
7
7
7
ns
Note
Output active from end of write
t
OW
3
3
3
ns
Note
See the output load shown in
Fig. 2
.
Write Cycle Timing Chart 1 (WE Controlled)
t
WC
t
AS
t
WP
t
AW
t
WR
t
DW
t
DH
Data In
Hi - Z
A0 - A16 (Input)
CS (Input)
WE (Input)
I/O (Input)
I/O (Output)
t
CW
t
ACS
t
CLZ
t
OH
t
AA
t
WHZ
t
OW
Caution CS or WE should be fixed to high level during address transition.
Remark 1.
Write operation is done during the overlap time of a low level CS and a low level WE.
2.
During t
WHZ
, I/O pins are in the output state, therefore the input signals of opposite phase to
the output must not be applied.
3.
When WE is at low level, the I/O pins are always Hi-Z. When WE is at high level, read operation
is executed. Therefore OE should be at high level to make the I/O pins Hi-Z.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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PD431407 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 1400V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目,二極管:1 SCR,1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)(最大):150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))(最大):95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))(最大):210A 電流 - 非重復(fù)電涌,50、60Hz (Itsm):1785A,1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK(3 + 2) 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND