參數(shù)資料
型號： μPD431000A-X
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1 M-Bit CMOS Static RAM(1M CMOS靜態(tài)RAM)
中文描述： 1 m位的CMOS靜態(tài)RAM（100萬的CMOS靜態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 7/28頁
文件大?。?/td> 203K
代理商： ΜPD431000A-X
7
μ
PD431000A-X
DC Characteristics (Recommended operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
μ
PD431000A-X
μ
PD431000A-AX
μ
PD431000A-BX
Unit
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.
Input leakage
current
I
LI
V
IN
= 0 V to V
CC
–1.0
+1.0 –1.0
+1.0 –1.0
+1.0
μ
A
I/O leakage
current
I
LO
V
I/O
= 0 V to V
CC
,
CE1 = V
IH
or CE2 = V
IL
or
WE = V
IL
or OE = V
IH
–1.0
+1.0 –1.0
+1.0 –1.0
+1.0
μ
A
Operating supply
current
I
CCA1
CE1 = V
IL
, CE2 = V
IH
Minimum cycle time
I
I/O
= 0 mA
40
70
40
70
40
70
mA
V
CC
≤
3.6 V
—
—
15
35
—
—
V
CC
≤
3.3 V
—
—
15
30
I
CCA2
CE1 = V
IL
, CE2 = V
IH
,
I
I/O
= 0 mA
15
15
15
V
CC
≤
3.6 V
—
10
—
V
CC
≤
3.3 V
—
—
8
I
CCA3
CE1
≤
0.2 V, CE2
≥
V
CC
– 0.2 V,
Cycle = 1 MHz, I
I/O
= 0 mA,
V
IL
≤
0.2 V, V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V
10
10
10
V
CC
≤
3.6 V
—
8
—
V
CC
≤
3.3 V
—
—
7
I
SB
CE1 = V
IH
or CE2 = V
IL
3
3
3
mA
V
CC
≤
3.6 V
—
2
—
V
CC
≤
3.3 V
—
—
2
I
SB1
CE1
≥
V
CC
– 0.2 V,
CE2
≥
V
CC
– 0.2 V
1
50
—
50
—
50
μ
A
V
CC
≤
3.6 V
—
—
0.5
26
—
—
V
CC
≤
3.3 V
—
—
—
0.5
22
I
SB2
CE2
≤
0.2 V
1
50
—
50
—
50
V
CC
≤
3.6 V
—
—
0.5
26
—
—
V
CC
≤
3.3 V
—
—
—
—
0.5
22
V
OH
I
OH
= –1.0 mA, V
CC
≥
4.5 V
2.4
2.4
2.4
V
I
OH
= –0.5 mA
—
2.4
2.4
V
OL
I
OL
= 2.1 mA, V
CC
≥
4.5 V
0.4
0.4
0.4
V
I
OL
= 1.0 mA
—
0.4
0.4
Remark
These DC characteristics are in common regardless of package types and access time.
Capacitance (T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Input capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
6
pF
Input/Output capacitance
C
I/O
V
I/O
= 0 V
10
pF
Remarks 1.
V
IN
: Input voltage
2.
These parameters are periodically sampled and not 100 % tested.
Standby supply
current
High level
output voltage
Low level
output voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD431008 1M-Bit CMOS Fast Static RAM(1M位CMOS 快速靜態(tài))
μPD431016 1M-Bit CMOS Fast Static RAM(1M位CMOS 快速靜態(tài))
μPD434004 4M-Bit CMOS Fast Static RAM(4M位CMOS 快速靜態(tài))
μPD434008 4M-Bit CMOS Fast Static RAM(4M位CMOS 快速靜態(tài))
μPD434016AL 4M-Bit CMOS Fast SRAM(4M CMOS 快速靜態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PD431007 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 1000V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
PD43-102M 功能描述:固定電感器 1uH 20% .049ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
PD43-103M 功能描述:固定電感器 10uH 20% .182ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
PD431207 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 1200V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
PD43-123M 功能描述:固定電感器 12uH 20% .21ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
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