參數(shù)資料
型號: ZXMN6A09GTA
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述: 5000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: LOW PROFILE SOIC-4
文件頁數(shù): 3/7頁
文件大小: 195K
代理商: ZXMN6A09GTA
CHARACTERISTICS
ZXMN6A09G
S E M IC O N D U C T O R S
PROVISIONAL ISSUE D - SEPTEMBER 2003
3
相關PDF資料
PDF描述
ZXMN6A09GTC 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A09G(1)
ZXMN6A09K 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK
ZXMN6A09KTC 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK
ZXMN6A11DN8 TOOLS,HEX BITS,SETS,FOLD-UP HEX KEY HAND TOOL, 6 BITS SIZES 3 THRU 10MM,HAND TOOLS,GORILLA GRIP<SUP>&#174;</SUP> FOLD-UP TOOL SETS ,BONDHUS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN6A09GTC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A09K 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N D-PAK
ZXMN6A09K_07 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:60V N-channel enhancement mode MOSFET in DPAK
ZXMN6A09KTC 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN6A10N8TA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件