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      ZXMN6A08E6TC

      配單專家企業(yè)名單
      • 型號
      • 供應商
      • 數(shù)量
      • 廠商
      • 封裝
      • 批號
      • 價格
      • 說明
      • 操作
      • ZXMN6A08E6TC
        ZXMN6A08E6TC

        ZXMN6A08E6TC

      • 深圳市華芯盛世科技有限公司
        深圳市華芯盛世科技有限公司

        聯(lián)系人:唐先生

        電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

        地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

      • 865000

      • ZETEX

      • SOT-23-6

      • 最新批號

      • -
      • 代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨!

      • ZXMN6A08E6TC
        ZXMN6A08E6TC

        ZXMN6A08E6TC

      • 深圳市歐和寧電子有限公司
        深圳市歐和寧電子有限公司

        聯(lián)系人:李先生

        電話:0755-292759351581559886118576729816

        地址:廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強北賽格科技園6C18室

      • 82490

      • Diodes

      • SOT-23-6

      • 新年份

      • -
      • 一級代理全新原裝現(xiàn)貨特價!

      • 1/1頁 40條/頁 共15條 
      • 1
      ZXMN6A08E6TC PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
      • 功能描述
      • MOSFET 60V N-Chnl UMOS
      • RoHS
      • 制造商
      • STMicroelectronics
      • 晶體管極性
      • N-Channel
      • 汲極/源極擊穿電壓
      • 650 V
      • 閘/源擊穿電壓
      • 25 V
      • 漏極連續(xù)電流
      • 130 A
      • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
      • 0.014 Ohms
      • 配置
      • Single
      • 最大工作溫度
      • 安裝風格
      • Through Hole
      • 封裝 / 箱體
      • Max247
      • 封裝
      • Tube
      ZXMN6A08E6TC 技術參數(shù)
      • ZXMN3G32DN8TA 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):472pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 ZXMN3F31DN8TA 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.7A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 ZXMN2A02X8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 11A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:1 ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-23-6 封裝/外殼:SOT-23-6 標準包裝:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 ZXMN6A11DN8TC ZXMN6A11GTA ZXMN6A11GTC ZXMN6A11ZTA ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A25G ZXMN6A25GTA ZXMN6A25K ZXMN6A25KTC ZXMN6A25N8TA ZXMN7A11GTA ZXMN7A11KTC ZXMNS3BM832TA ZXMP10A13FQTA ZXMP10A13FTA ZXMP10A16KTC ZXMP10A17E6QTA ZXMP10A17E6TA
      配單專家

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