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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | YG858C12R |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 547K |
| 代理商： | YG858C12R |
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3
YG858C12R
http://www.fujisemi.com
FUJI Diode
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
Per 1element
DC
Square wave λ=180°
Sine wave λ=180°
Square wave λ=120°
Square wave λ=60°
Forward Power Dissipation (max.)
Ｗ
Ｆ
Fo
rw
ar
d
Po
we
r
Di
s
si
pa
ti
on
（
Ｗ
）
Ｉｏ
Average Output Current
（Ａ）
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
2
3
4
5
Reverse Power Dissipation (max.)
α=180°
DC
Ｐ
Ｒ
Re
ve
rs
e
Po
we
r
Di
ss
ip
at
i
on
（
Ｗ
）
ＶＲ
Reverse Voltage
（Ｖ）
λ
360°
I0
α
360°
VR
0.01
0.1
1
10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
Tj=150℃
Tj=125℃
Tj=100℃
Tj=25℃
Forward Characteristic
(typ.)
Ｉ
Ｆ
F
o
r
w
a
r
d
Cu
r
e
n
t
（
Ａ
）
ＶＦ
Forward Voltage （Ｖ）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
Reverse Characteristic
(typ.)
Tj= 25℃
Tj=100℃
Tj=125℃
Tj=150℃
Ｉ
R
Re
ve
rs
e
Cu
rr
en
t
（
uA
）
ＶR
Reverse Voltage
（Ｖ）
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| YG858C15R | 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG861S15R | 5 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG862C15R | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| YG864S06R | 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| YG865C06R | 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| YG858C15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Schottky Barrier Diode |
| YG861S12R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG861S15R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:High Voltage Schottky barrier diode |
| YG862C04R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
| YG862C06R | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Low IR Schottky barrier diode |
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