參數(shù)資料
型號： XN01113(XN1113)
英文描述： 複合デバイス － 複合トランジスタ
中文描述： 複合デバイス-複合トランジスタ
文件頁數(shù)： 2/3頁
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代理商： XN01113(XN1113)
2
Composite Transistors
XN01111
PT — Ta
IC — VCE
VCE(sat) — IC
hFE — IC
Cob — VCB
IO — VIN
VIN — IO
0
–12
– 2
–10
–4
–8
–6
–40
–120
–80
–160
–140
–100
–60
–20
Collector to emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
Ta=25C
IB= –1.0mA
– 0.9mA
– 0.8mA
– 0.7mA
– 0.6mA
– 0.5mA
– 0.4mA
– 0.3mA
– 0.2mA
– 0.1mA
–0.01
–0.03
– 0.1 – 0.3
– 0.1
– 0.3
–1
– 3
–10
– 30
–100
–1
– 3
–10
– 30
–100
Collector current IC (mA)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
IC/IB=10
Ta=75C
25C
– 25C
0
–1
– 3
40
80
120
160
–10
– 30
–100 – 300 –1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE= –10V
Ta=75C
25C
– 25C
0
– 0.1 – 0.3
6
5
4
3
2
1
–1
– 3
–10
– 30
–100
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage
VCB (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25C
–1
–3
– 0.4
–10
– 30
–100
–300
–1000
–3000
–10000
–1.4
–1.2
–1.0
– 0.8
– 0.6
Output
current
I
O
(
A
)
Input voltage VIN (V)
VO= – 5V
Ta=25C
–0.01
–0.03
– 0.1 – 0.3
– 0.1
– 0.3
–1
– 3
–10
– 30
–100
–1
– 3
–10
– 30
–100
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
VO= – 0.2V
Ta=25C
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
Ambient temperature Ta (C)
Total
power
dissipation
P
T
(mW
)
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PDF描述
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