參數(shù)資料
型號: VN610SP13TR
英文描述: SINGLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
中文描述: 單通道高壓側(cè)固態(tài)繼電器
文件頁數(shù): 12/17頁
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代理商: VN610SP13TR
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VN610SP
Maximum turn off current versus load inductance
A = Single Pulse at T
Jstart
=150oC
B= Repetitive pulse at T
Jstart
=100oC
C= Repetitive Pulse at T
Jstart
=125oC
Conditions:
V
CC
=13.5V
Values are generated with R
L
=0
In case of repetitive pulses, T
jstart
(at beginning of each demagnetization) of every pulse must not exceed
the temperature specified above for curves B and C.
V
IN
, I
L
t
Demagnetization
Demagnetization
Demagnetization
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
L(mH)
I
LMAX (A)
A
B
C
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN610 SINGLE CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY
VN610SP INDUCTOR 4.7UH 150MA 1210 10%
VN66AD TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-220AB
VN67AB TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39
VN67AD TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VN610SPE 制造商: 功能描述: 制造商:STM 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
VN610SP-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC SINGLE HIGH SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VN610SPTR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC SINGLE HIGH SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VN66AD 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
VN66AFD 功能描述:MOSFET 60V 1.46A 15W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube