參數(shù)資料
型號： VN50300L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓500V，夾斷電流0.033A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓的500V，夾斷電流0.033A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： VN50300L
VN50300L/VN50300T
4
Siliconix
P-37409—Rev. C, 04-Jul-94
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted) (Cont’d)
1
10
100
100
10
1
Threshold Region
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
–
I
D
C
–
V
G
t
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
10
1
0.01
0
1
7
2
3
4
5
6
–55 C
V
DS
= 5 V
0.1
T
J =
150 C
12
10
8
0
0
10
50
6
4
20
30
40
2
C
iss
C
rss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1
0.01
0.1
0.1
1
100
10
1 K
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
30
25
20
0
0
25
200
15
10
50
100
150
5
I
D
= 10 mA
V
DS
= 250 V
400 V
V
DD
= 25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to 10 V
25 C
125 C
C
oss
Single Pulse
0.01
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PDF描述
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參數(shù)描述
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