參數(shù)資料
型號(hào)： VN50300L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓500V，夾斷電流0.033A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓的500V，夾斷電流0.033A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： VN50300L
VN50300L/VN50300T
Siliconix
P-37409—Rev. C, 04-Jul-94
3
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
On-Resistance vs. Drain Current
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
–
I
D
–
I
D
–
r
D
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
– Drain Current (A)
T
J
– Junction Temperature ( C)
r
D
–
(
20
0
1
2
3
4
5
16
12
8
4
0
V
GS
= 10 V
6 V
5 V
4.5 V
4 V
3.5 V
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
4
3
2
1
0
V
GS
= 7 V
4 V
3.5 V
4.5 V
50
40
30
0
2
3
7
20
10
4
5
6
125 C
25 C
V
DS
= 15 V
T
J
= –55 C
325
300
275
200
0
5
25
250
225
10
15
20
V
GS
= 10 V
700
0
4
8
12
16
20
600
500
400
0
300
200
100
I
D
= 2 mA
10 mA
2.25
2.00
1.75
0.50
–50
–10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
V
GS
= 10 V
I
D
= 10 mA
5 mA
5 V
r
D
–
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PDF描述
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參數(shù)描述
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