VLF252012MT-1R5N-CA

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說明
操作

VLF252012MT-1R5N-CA
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
TDK Corporation
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

VLF252012MT-1R5N-CA
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
TDK
SMD
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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VLF252012MT-1R5N-CA PDF下載

功能描述
1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.17A 59 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
VLF-M-CA
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
1.5μH
容差
±30%
額定電流
2.17A
電流 - 飽和值
1.22A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
59 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 105°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.047"（1.20mm）
標準包裝
1

VLF252012MT-1R5N-CA 技術參數(shù)

VLF252012MT-1R5N 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.17A 69 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1.5μH 容差:±30% 額定電流:2.17A 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:69 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 VLF252012MT-1R0N-CA 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.47A 52 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±30% 額定電流:2.47A 電流 - 飽和值:1.44A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:52 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 VLF252012MT-1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.47A 52 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±30% 額定電流:2.47A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:52 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 VLF252012MT-150M-CA 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 630mA 680 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M-CA 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:15μH 容差:±20% 額定電流:630mA 電流 - 飽和值:370mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:680 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 VLF252012MT-150M 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 630mA 680 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLF-M 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:15μH 容差:±20% 額定電流:630mA 電流 - 飽和值:330mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:680 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm）標準包裝:1 VLF252012MT-6R8M-CA VLF252012MT-R47N VLF252012MT-R47N-CA VLF252012MT-R68N VLF252012MT-R68N-CA VLF252015MT-100M VLF252015MT-100M-CA VLF252015MT-150M VLF252015MT-150M-CA VLF252015MT-1R0N VLF252015MT-1R0N-CA VLF252015MT-1R5N VLF252015MT-1R5N-CA VLF252015MT-220M VLF252015MT-220M-CA VLF252015MT-2R2M VLF252015MT-2R2M-CA VLF252015MT-3R3M