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參數資料
| 型號： | UNRF1A6 |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內蔵型トランジスタ |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | UNRF1A6 |
UNRF1A0
2
SJH00067AED
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
I
O
V
IN
P
T
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
V
IN
I
O
0
140
60
20
80
120
40
100
0
120
100
80
60
40
20
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
12
10
8
2
6
4
0
90
80
70
60
50
30
40
20
10
0.
6 mA
0.
5 mA
0.
4 mA
I
B
=
1.0 mA
0.
3 mA
0.
2 mA
0.
1 mA
T
a
=
25
°
C
0.
9 mA
0.
8 mA
0.
7 mA
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.1
1
10
100
0.01
10
1
0.1
T
a
= 85
°
C
25
°
C
25
°
C
I
C
/ I
B
=
10
Collector current I
C
(mA)
C
C
1
10
100
0
400
300
100
250
350
200
50
150
T
a
= 85
°
C
25
°
C
25
°
C
V
CE
=
10 V
Collector current I
C
(mA)
F
F
0
40
32
8
24
16
1
10
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
Collector-base voltage
V
CB
(V)
C
o
0
0.4
Input voltage V
IN
(V)
0.8
1.2
1.6
0.1
10
1
V
O
=
5 V
T
a
=
25
°
C
O
O
0.1
1
10
100
0.1
10
1
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25
°
C
Output current I
O
(mA)
I
I
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNRF1AM | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNRF1AN | 複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| UNRF1AT | 複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| UNRF1A1 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNRF1A2 | 複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UNRF1AM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
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| UNRF1AT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內蔵型トランジスタ |
| UNRF2A0 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar transistor |
| UNRF2A1 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar transistor |
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