參數資料
型號： UNR911L
英文描述： TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
中文描述： 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 416
文件頁數： 7/18頁
文件大小： 316K
代理商： UNR911L
UNR91XXJ Series
15
SJH00038AED
Characteristics chart of UNR911LJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Characteristics chart of UNR911MJ
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
VIN IO
0
–12
– 2
–10
– 4
– 8
– 6
240
200
160
120
80
40
Ta
= 25°C
IB =
1.0 mA
0.2 mA
0.4 mA
0.6 mA
0.8 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.01
0.03
1
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10 30 100 300 1000
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
1
3
240
200
160
120
80
40
10 30 100 300 1000
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0
1
6
5
4
3
2
1
3
10
30
100
f
= 1 MHz
IE
= 0
Ta
= 25°C
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
Collector to base voltage V
CB (V)
0.01
0.1 0.3
0.1
1
10
100
1
3
10 30 100
VO
= 0.2 V
Ta
= 25°C
Input
voltage
V
IN
(V
)
Output current IO (mA)
0
12
2
10
4
8
6
240
200
160
120
80
40
Ta
= 25°C
IB
= 1.0 mA
0.2 mA
0.1 mA
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.8 mA
0.9 mA
Collector to emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.001
0.003
1
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
10 30 100 300 1000
IC / IB = 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0
1
3
100
200
300
500
400
10 30 100 300 1000
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
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