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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR412X(UN412X) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| 文件頁數(shù)： | 3/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | UNR412X(UN412X) |
3
UNR41XX Series
SJH00018CED
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
T
T
a
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Resistance
UNR4111/4112/4113/411L
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
ratio
UNR4114
0.17
0.21
0.25
UNR4118/4119
0.08
0.1
0.12
UNR411D
3.7
4.7
5.7
UNR411E
1.7
2.14
2.6
UNR411F
0.37
0.47
0.57
UNR411H
0.17
0.22
0.27
UNR411M
0.047
UNR411N
0.1
Common characteristics chart
Characteristics charts of UNR4110
0
0
160
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
60
100
140
40
120
80
100
300
200
400
T
T
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3
mA
0.2
mA
0.1
mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
3
Collector current I
C
(mA)
100
200
300
400
10
30
100
300
1
000
D
F
V
CE
=
–10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UNR412Y(UN412Y) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR4113(UN4113) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR4114(UN4114) | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4115(UN4115) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR4121(UN4121) | 複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR412Y | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:UNR412x Series (UN412x Series) Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR412Y(UN412Y) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR4-1410 | 制造商:RIEDON 制造商全稱:Riedon Powertron 功能描述:Precision Shunt Resistors |
| UNR4-14100R1X | 制造商:WILLOW 制造商全稱:Willow Technologies Ltd 功能描述:Highest Stability Near Temperature Independency |
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