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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UNR4112(UN4112) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | UNR4112(UN4112) |
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3
UNR41XX Series
SJH00018CED
■
Electrical Characteristics (continued)
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
T
T
a
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Resistance
UNR4111/4112/4113/411L
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
ratio
UNR4114
0.17
0.21
0.25
UNR4118/4119
0.08
0.1
0.12
UNR411D
3.7
4.7
5.7
UNR411E
1.7
2.14
2.6
UNR411F
0.37
0.47
0.57
UNR411H
0.17
0.22
0.27
UNR411M
0.047
UNR411N
0.1
Common characteristics chart
Characteristics charts of UNR4110
0
0
160
20
Ambient temperature T
a
(
°
C)
60
100
140
40
120
80
100
300
200
400
T
T
0
0
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
12
2
10
4
8
6
120
100
80
60
40
20
C
C
T
a
=
25
°
C
I
B
=
1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3
mA
0.2
mA
0.1
mA
0.01
0.03
0.1
0.3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
C
C
Collector current I
C
(mA)
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
3
Collector current I
C
(mA)
100
200
300
400
10
30
100
300
1
000
D
F
V
CE
=
–10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN4111 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4112 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN4112 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4113 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN4113 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR4113 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR4113(UN4113) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR411300A | 功能描述:TRANS PNP W/RES 80HFE NEW S TYPE RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR4114 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
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