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參數(shù)資料
| 型號： | UNR4112(UN4112) |
| 英文描述： | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| 中文描述： | 復(fù)合裝置-內(nèi)置晶體管，電阻， |
| 文件頁數(shù)： | 2/15頁 |
| 文件大小： | 376K |
| 代理商： | UNR4112(UN4112) |
2
UNR41XX Series
SJH00018CED
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
V
CB
=
50 V, I
E
=
0
V
CE
=
50 V, I
B
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
0.1
0.5
0.5
0.2
μ
A
Emitter
cutoff
current
UNR4111
I
EBO
mA
UNR4112/4114/411D/
411E/411M/411N
UNR4113
0.1
0.01
1.0
1.5
2.0
UNR4110/4115/4116/4117
UNR411F/411H
UNR4119
UNR4118/411L
Collector to base voltage
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
5 mA
50
50
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
h
FE
V
DC
UNR4111
35
current
UNR4112/411E
60
gain
UNR4113/4114/411M
80
UNR4110
*
/41115
*
/4116
*
/
4117
*
160
460
UNR4118/411L
20
UNR4119/411D/411F/411H
30
UNR411N
80
400
Collector to emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
10 mA, I
B
=
0.3 mA
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V, R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V, R
L
=
1 k
V
CB
=
10 V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
0.25
V
High level output voltage high level
V
OH
4.9
V
Low level output voltage
V
OL
0.2
V
UNR4113
UNR411D
UNR411E
Transition frequency
f
T
80
MHz
Input
UNR4118
R
1
30%
0.51
+
30%
k
resistance UNR4119
1
UNR411H/411M
2.2
UNR4116/411F/411L/411N
4.7
UNR4111/4114/4115
10
UNR4112/4117
22
UNR4110/4113/411D/411E
47
Rank
Q
R
S
h
FE
160 to 260
210 to 340
290 to 460
Note)*: h
FE
rank classification (UNR4110/4115/4116/4117)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UN4111 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4112 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN4112 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UNR4113 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| UN4113 | Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| UNR4113 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| UNR4113(UN4113) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ |
| UNR411300A | 功能描述:TRANS PNP W/RES 80HFE NEW S TYPE RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| UNR4114 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
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