UCC27532DBVR

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功能描述
功率驅(qū)動器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET IGBT Sgl Gate Dvr
RoHS
否
制造商
Micrel
產(chǎn)品
MOSFET Gate Drivers
類型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
上升時間
下降時間
電源電壓-最大
30 V
電源電壓-最小
2.75 V
電源電流
最大功率耗散
最大工作溫度
+ 85 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-8
封裝
Tube

UCC27532DBVR 技術(shù)參數(shù)

UCC27531QDBVRQ1 功能描述:IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 制造商:texas instruments 系列:汽車級，AEC-Q100 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效驅(qū)動配置:高壓側(cè)或低壓側(cè) 通道類型:單路驅(qū)動器數(shù):1 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 32 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.2V，2.2V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:2.5A，5A 輸入類型:非反相高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:- 上升/下降時間（典型值）:15ns，7ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 UCC27531EVM-184 功能描述:UCC27531 - Power Management, High and Low Side Driver (External FET) Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:- 零件狀態(tài):有效主要用途:電源管理，高低壓側(cè)驅(qū)動器（外部 FET）嵌入式:否使用的 IC/零件:UCC27531 主要屬性:隔離輔助屬性:- 所含物品:板標準包裝:1 UCC27531DR 功能描述:IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效驅(qū)動配置:高壓側(cè)或低壓側(cè) 通道類型:單路驅(qū)動器數(shù):1 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 32 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.2V，2.2V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:2.5A，5A 輸入類型:非反相高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:- 上升/下降時間（典型值）:15ns，7ns 工作溫度:-40°C ~ 140°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 UCC27531DBVT 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Sgl Gate Dvr RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube UCC27531DBVR 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET & IGBT Sgl Gate Dvr RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube UCC27538DBVR UCC27538DBVT UCC27611DRVR UCC27611DRVT UCC27611OLEVM-203 UCC27710D UCC27710DR UCC27710EVM-005 UCC27712D UCC27712DR UCC27712EVM-287 UCC27712QDQ1 UCC27712QDRQ1 UCC27714D UCC27714DR UCC27714EVM-551 UCC2800D UCC2800DG4