參數(shù)資料
型號(hào)： TPC6005
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 188K
代理商： TPC6005
TPC6005
2001-12-17
3
F
D
Drain-source voltage VDS (V)
I
D
– V
DS
D
Drain-source voltage VDS (V)
I
D
– V
DS
D
Gate-source voltage VGS (V)
I
D
– V
GS
D
Gate-source voltage VGS (V)
V
DS
– V
GS
Drain current ID (A)
|Y
fs
| – I
D
Drain current ID (A)
D
R
R
DS (ON)
– I
D
0
1
2
3
4
5
Common source
Ta 25°C Pulse test
1.8
1.95
1.7
VGS 1.5 V
1.9
2, 2.5
4, 6, 8, 10
0
2
4
6
8
10
1.6
100°C
0
2
4
6
8
12
0
1
1.5
2
2.5
Ta 55°C
25°C
Common source
VDS 10 V
Pulse test
0.5
10
10
0
2
4
6
8
Common source
Ta 25°C
Pulse test
1.5 A
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
3 A
ID 6 A
1
3
5
10
30
50
1
3
5
30
50
100
100
10
Common source
VDS 10 V
Pulse test
100°C
25°C
Ta 55°C
1
0.1
3
10
30
100
0.3
1
3
30
100
10
Common source
Ta 25°C
Pulse test
VGS 2 V
2.5 V
4.5 V
4
8
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1.4
1.3
VGS 1.2 V
1.6
1.8
10
0
1
2
3
4
5
Common source
Ta 25°C
Pulse test
1.7
2
2.5
6
1.5
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PDF描述
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