參數(shù)資料
型號： TM20DA-M
元件分類： 晶閘管
英文描述： 31.4 A, 400 V, SCR
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： TM20DA-M
Feb.1999
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2.5
3.5
4.5
Tj=125°C
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4
VGT=3.0V
IGT=
50mA
IFGM
=2.0A
PGM=5.0W
VFGM=10V
VGD=0.25V
PG(AV)=
0.50W
Tj=
25°C
7
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020
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5
40
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25
20
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θ=30°
60°
120°
90°
180°
θ
360°
130
50
60
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80
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020
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5
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θ=30° 60° 90°
180°
120°
RESISTIVE,
INDUCTIVE
LOAD
PER SINGLE
ELEMENT
RESISTIVE,
INDUCTIVE
LOAD
PER SINGLE
ELEMENT
θ
360°
PERFORMANCE CURVES
MAXIMUM ON-STATE CHARACTERISTIC
GATE CHARACTERISTICS
MAXIMUM TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE (JUNCTION TO CASE)
MAXIMUM AVERAGE ON-STATE
POWER DISSIPATION
(SINGLE PHASE HALFWAVE)
LIMITING VALUE OF THE AVERAGE
ON-STATE CURRENT
(SINGLE PHASE HALFWAVE)
RATED SURGE (NON-REPETITIVE)
ON-STATE CURRENT
ON-ST
A
TE
CURRENT
(A)
SURGE
(NON-REPETITIVE)
ON-ST
A
TE
CURRENT
(A)
ON-STATE VOLTAGE (V)
CONDUCTION TIME
(CYCLES AT 60Hz)
GA
TE
VOL
T
AGE
(V)
A
VERAGE
ON-ST
A
TE
POWER
DISSIP
A
TION
(W)
TRANSIENT
THERMAL
IMPEDANCE
(°
C/
W)
CASE
TEMPERA
TURE
(°
C)
TIME (s)
GATE CURRENT (mA)
AVERAGE ON-STATE CURRENT (A)
MITSUBISHI THYRISTOR MODULES
TM20DA-M,-H
MEDIUM POWER GENERAL USE
INSULATED TYPE
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