TPS1120DR

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

TPS1120DR
深圳市信通吉電子有限公司
深圳市信通吉電子有限公司
聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20
12850
TI
SOP8
19+原裝正品
-
香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

TPS1120DR
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
871
TI
10+
-
專業(yè)經(jīng)銷，原裝正品

TPS1120DRG4
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
TI/德州儀器
22+
N/A
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

TPS1120DR
深圳市品業(yè)電子有限公司
深圳市品業(yè)電子有限公司
聯(lián)系人：李小姐
電話：0755-23895664
地址：華強街道振華路深紡大廈C座2樓2H55
72825
TI
SOP8
16+
-
只做原裝正品現(xiàn)貨價格優(yōu)勢

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功能描述
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

TPS1120DR 技術(shù)參數(shù)

TPS1120D 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:840mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.18A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:710mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:16-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.27A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:504mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 TPS1100D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 TPS2000CDGKR TPS2000CDGN TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT TPS2003CEVM-016 TPS2010AD