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TPS1120D

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • TPS1120DRG4
    TPS1120DRG4

    TPS1120DRG4

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • TI/德州儀器

  • 22+

  • N/A

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • TPS1120DR
    TPS1120DR

    TPS1120DR

  • 深圳市品業(yè)電子有限公司
    深圳市品業(yè)電子有限公司

    聯(lián)系人：李小姐

    電話：0755-23895664

    地址：華強(qiáng)街道振華路深紡大廈C座2樓2H55

  • 72825

  • TI

  • SOP8

  • 16+

  • -

  • 只做原裝正品 現(xiàn)貨 價(jià)格優(yōu)勢

  • TPS1120D
    TPS1120D

    TPS1120D

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人：胡慶偉

    電話：13138879988

    地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 225

  • TI

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

  • 1.32396 USD,szpoweri...

TPS1120D PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
TPS1120D 技術(shù)參數(shù)
  • TPS1101PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.18A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:710mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:16-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 TPS1101D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 TPS1100PWR 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.27A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:504mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 TPS1100D 功能描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:15V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:791mW 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 TPS UNIVERSAL DEMO KIT 功能描述:DEMO KIT DIGIPILE SENSORS TO USB 制造商:excelitas technologies 系列:DigiPile? 零件狀態(tài):在售 傳感器類型:溫度 感應(yīng)范圍:- 接口:- 靈敏度:- 電壓 - 電源:- 嵌入式:- 所含物品:板 使用的 IC/零件:DigiPile? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 TPS-1LB TPS2000CDGK TPS2000CDGKR TPS2000CDGN TPS2000CDGNR TPS2001CDGK TPS2001CDGKR TPS2001CDGN TPS2001CDGNEVM-635 TPS2001CDGNR TPS2001DDBVR TPS2001DDBVT TPS2001DDGK TPS2001DDGKR TPS2002CDRCR TPS2002CDRCT TPS2003CDRCR TPS2003CDRCT
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