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TE28F128J3D-75D

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

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  • 原裝正品,歡迎訂購

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TE28F128J3D-75D 技術參數(shù)
  • TE28F128J3D75B 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ TE28F128J3D75A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ TE28F128J3C150SL759 功能描述:IC FLASH 128MBIT 150NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 TE2500B22RJ 功能描述:RES CHAS MNT 22 OHM 5% 2500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE,CGS 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):22 容差:±5% 功率(W):2500W 成分:繞線 溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃,安全 涂層,外殼類型:硅酮涂層 安裝特性:支架 大小/尺寸:2.362" 直徑 x 23.622" 長(60.00mm x 600.00mm) 高度:- 引線形式:焊片 封裝/外殼:徑向,管狀 標準包裝:6 TE2500B1R0J 功能描述:RES CHAS MNT 1 OHM 5% 2500W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:TE,CGS 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):1 容差:±5% 功率(W):2500W 成分:繞線 溫度系數(shù):±440ppm/°C 工作溫度:-25°C ~ 225°C 特性:耐燃,安全 涂層,外殼類型:硅酮涂層 安裝特性:支架 大小/尺寸:2.362" 直徑 x 23.622" 長(60.00mm x 600.00mm) 高度:- 引線形式:焊片 封裝/外殼:徑向,管狀 標準包裝:6 TE28F160C3TD70A TE28F256J3C125SL7HD TE28F256J3D95A TE28F256J3D95B TE28F256J3D95B TR TE28F256J3F105A TE28F256P30B95A TE28F256P30BFA TE28F256P30T95A TE28F256P30TFA TE28F256P33B95A TE28F256P33BFA TE28F256P33T95A TE28F256P33TFA TE28F320C3BD70 TE28F320C3TD70A TE28F320J3C110SL7H8 TE28F320J3D75A
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