| 型號(hào) | FM25L16B | 廠家 | CYPRESS |
| 批號(hào) | 19+ | 封裝 | SOIC_8 |
特性
?組織為2048 x 8位
?高耐力100萬(wàn)億(1014)讀/寫
?38年數(shù)據(jù)保留(@ + 75oC)
?NoDelay?寫道
?先進(jìn)的高鐵電的過程
非常快的串行外圍接口- SPI
?20 MHz的頻率
?直接替代eepm硬件
?SPI模式0 & 3 (CPOL CPHA = 0, 0和1,1)
復(fù)雜的寫保護(hù)方案
?硬件保護(hù)
?軟件保護(hù)
低功耗
?2.7 - -3.6 v低電壓操作
?200?有功電流(1 MHz)
?3?(typ)。待機(jī)電流
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)配置
?工業(yè)溫度-40?C + 85?C
?有“綠色”/ RoHS SOIC和TDFN包
描述
FM25L16B是一個(gè)16千字節(jié)的非易失性內(nèi)存
采用先進(jìn)的鐵電工藝。一個(gè)
鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器簡(jiǎn)稱F-RAM
非易失性，并像a一樣執(zhí)行讀寫操作
RAM。它提供38年的可靠數(shù)據(jù)保存
同時(shí)消除復(fù)雜性、開銷和
系統(tǒng)級(jí)可靠性問題造成的
EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器。
FM25L16B在總線上執(zhí)行寫操作
速度。不產(chǎn)生寫入延遲。數(shù)據(jù)被寫入
每個(gè)字節(jié)之后的內(nèi)存數(shù)組
轉(zhuǎn)移到設(shè)備上下一個(gè)公交周期
無需數(shù)據(jù)輪詢即可開始。
FM25L16B能夠支持1014架
讀/寫周期，或一百萬(wàn)倍以上的寫
比eepm周期。
這些能力使FM25L16B理想的
非易失性內(nèi)存應(yīng)用程序需要頻繁
或快速寫道。例子包括數(shù)據(jù)收集，
寫周期的數(shù)量可能是關(guān)鍵的，到
要求工業(yè)控制哪里長(zhǎng)寫
EEPROM的時(shí)間會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。
FM25L16B為用戶提供了實(shí)質(zhì)性的好處
串行EEPROM的硬件插槽
更換。FM25L16B使用高速
SPI總線，提高了高速寫
F-RAM技術(shù)的能力。設(shè)備
規(guī)格是保證超過一個(gè)工業(yè)
溫度范圍-40℃至+85℃。
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