產(chǎn)品概述
CSD25310Q2是一款NexFET?P溝道功率MOSFET, 設(shè)計用于提供最低的導通電阻與柵極電荷, 具有超小外形, 并具出色熱特性. 該產(chǎn)品具有低導通電阻, 塑料封裝, 極小占地面積, 適用于電池供電, 空間有限的應(yīng)用. 超低Qg與Qgd
低導通電阻
低熱阻
無鹵素
塑料包裝
工作結(jié)溫范圍-55至150°C
應(yīng)用
產(chǎn)品信息
晶體管極性: P溝道 電流, Id 連續(xù): -20A 漏源電壓, Vds: -20V 在電阻RDS(上): 0.0199ohm 電壓 @ Rds測量: -4.5V 閾值電壓 Vgs: -850mV 功耗 Pd: 2.9W 晶體管封裝類型: WSON 針腳數(shù): 6引腳 工作溫度最高值: 85°C 產(chǎn)品范圍: - 汽車質(zhì)量標準: - MSL: MSL 1 -無限制
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