| 型號(hào) | BSC0504NSI | 廠家 | Infineon/英飛凌 |
| 批號(hào) | NA | 封裝 | TDSON-8 |
數(shù)據(jù)列表 BSC0504NSI;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 5,000
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 OptiMOS??
規(guī)格
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 21A（Ta），72A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3.7 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 960pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），30W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8-6
封裝/外殼 8-PowerTDFN
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