類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 剪切帶（CT） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 11.1A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 23 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 29.5nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 900pF @ 50V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），5.7W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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