屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 82 A
最大漏源電壓 80 V
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
封裝類型 TO-220AB
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
晶體管配置 單
通道模式 增強(qiáng)
類別 功率 MOSFET
最大功率耗散 230 W
長度 10.54mm
尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm
晶體管材料 Si
典型接通延遲時(shí)間 13 ns
最低工作溫度 -55 °C
典型柵極電荷@Vgs 160 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds 3820 pF @ 25 V 典型關(guān)斷延遲時(shí)間 49 ns
寬度 4.69mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +175 °C
系列 HEXFET
高度 8.77mm
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