FDG6316P介紹：
描述 MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 42 周
詳細(xì)描述 2 個(gè) P 溝道（雙） Mosfet 陣列 12V 700mA 300mW 表面貼裝 SC-70-6
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 700mA
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 270 毫歐 @ 700mA，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 146pF @ 6V 功率 - 最大值 300mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 SC-70-6
晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件
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