制造商
Vishay SilIConix
制造商零件編號(hào)
SI7686DP-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 46 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），37.9W（Tc） PowerPAK? SO-8
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 35A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 26nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1220pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5W（Ta），37.9W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 9.5 毫歐 @ 13.8A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? SO-8
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
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