| 型號 | IPB019N08N3G | 廠家 | INFINEO |
| 批號 | 15+ | 封裝 | TO-263 |
| 數(shù)據(jù)列表 | |
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| 其它名稱 | IPB019N08N3 G-ND
IPB019N08N3G
IPB019N08N3GATMA1
Q4136793
SP000444110
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規(guī)格 | FET 類型 | N 溝道 |
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| 技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
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| 漏源極電壓（Vdss） | 80V |
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| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） | 180A（Tc） |
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| 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
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| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 270μA |
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| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） | 206nC @ 10V |
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| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） | 14200pF @ 40V |
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| Vgs（最大值） | ±20V |
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| FET 功能 | - |
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| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
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| 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） | 1.9 毫歐 @ 100A，10V |
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| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
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| 安裝類型 | 表面貼裝 |
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| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO263-7 |
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| 封裝/外殼 | TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片），TO-263CB |
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