以下是,IR原廠原裝場效應(yīng)管MOS IRF9Z34NPBF IRF9Z34N,品牌:IR 型號:IRF9Z34NPBF 封裝:TO-220-3 用途:SW-REG/開關(guān)電源 類型:絕緣柵型場效應(yīng)管 溝道類型:N溝道 導電方式:增強型 ,請點擊“詢價”
-IR原廠原裝場效應(yīng)管MOS IRF9Z34NPBF IRF9Z34N 品牌:IR 型號:IRF9Z34NPBF 封裝:TO-220-3 用途:SW-REG/開關(guān)電源 類型:絕緣柵型場效應(yīng)管 溝道類型:N溝道 導電方式:增強型-買賣IC網(wǎng)
IR原廠原裝場效應(yīng)管MOS IRF9Z34NPBF IRF9Z34N
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,IR原廠原裝場效應(yīng)管MOS IRF9Z34NPBF IRF9Z34N

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品牌IR型號IRF9Z34NPBF
封裝TO-220-3用途SW-REG/開關(guān)電源
類型絕緣柵型場效應(yīng)管溝道類型N溝道
導電方式增強型  

單 P 溝道 55 V 68 W 35 nC Hexfet 功率 Mosfet 法蘭安裝 - TO-220AB

制造商零件編號:IRF9Z34NPBF

安裝方法: Flange Mount

封裝形式: TO-220-3 (TO-220AB)

包裝: TUBE

標準包裝數(shù)量: 50

產(chǎn)品亮點
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.1 Ω
  • Qg Gate Charge: 35 nC
  • Rated Power Dissipation: 68 W

國際整流器公司的第五代HEXFET采用高級工藝技術(shù),實現(xiàn)了極低的單位硅片面積導通電阻。它的這個優(yōu)點加上HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅固耐用的器件設(shè)計,為設(shè)計人員提供了非常高效和可靠的器件,適用于各種應(yīng)用。

TO-220封裝通常是功耗值約為50 W的所有商業(yè)、工業(yè)應(yīng)用的首選。TO-220的低熱阻和低封裝成本使其受到了整個行業(yè)的廣泛認可。

特性

先進的工藝技術(shù) 動態(tài)dv/dt額定值 175 °C的工作溫度 快速開關(guān) P溝道 通過了完全雪崩測試 無鉛

IRF9Z34NPBF是單P溝道MOSFET。它采用TO-220AB封裝,管裝發(fā)貨。

總   機:O512-5O71O709
傳   真:O512-5O1112O9
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