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IXFN130N30電容曲線參數(shù)
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，IXFN130N30電容曲線參數(shù)

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  • 最小起訂： 1PCS
  • 供貨總量： 288PCS
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  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2015年11月04日
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品牌IXYS型號(hào)IXFN130N30
類型其他溝道類型N溝道
IXFN130N30詳細(xì)參數(shù)
制造商: IXYS
連續(xù)漏極電流: 130 A
漏源極擊穿電壓: 300 V
漏源導(dǎo)通電阻: 22 mOhms
晶體管極性: N-Channel
柵源極擊穿電壓 : 20 V
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 700 W
安裝風(fēng)格: 螺絲安裝
配置: Single Dual Source
下降時(shí)間: 31 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 92 S
最小工作溫度: - 55 C
上升時(shí)間: 75 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 130 ns
典型接通延遲時(shí)間: 45 ns
包裝數(shù)量: 10pcs

IXFN130N30電容曲線圖示


IXFN130N30的特性是miniBLOC與氮化鋁隔離，低RDS HDMOSTM過程，崎嶇的多晶硅柵細(xì)胞結(jié)構(gòu)，松開感應(yīng)開關(guān)(ui)額定，低包電感，快速內(nèi)在整流器


IXFN130N30封裝圖



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