| 品牌 | IXYS | 型號 | IXTQ50N25T |
| 類別 | 直插 | 封裝形式 | TO-3P |
制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息
Id-連續(xù)漏極電流: 50 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 60 mOhms 晶體管極性: N-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 : 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 78 nC
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 W
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
通道模式: Enhancement
下降時間: 25 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 35 S
最小工作溫度: - 55 C
上升時間: 25 ns
系列: IXTQ50N25
工廠包裝數(shù)量: 30
典型關(guān)閉延遲時間: 47 ns
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