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SI7998DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm
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，SI7998DP-T1-GE3 Vishay MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm

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  • 所 在 地： 北京 北京市轄區(qū) 朝陽區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2015年01月26日
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品牌Vishay型號(hào)SI7998DP-T1-GE3
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  • 制造商:Vishay
    產(chǎn)品種類:MOSFET
    RoHS:RoHS 合規(guī)性豁免 詳細(xì)信息
    商標(biāo):Vishay Semiconductors
    Id-連續(xù)漏極電流:15 A
    Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
    Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.3 mOhms
    晶體管極性:N-Channel
    Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
    最大工作溫度:+ 150 C
    Pd-功率耗散:3.6 W, 4 W
    安裝風(fēng)格:SMD/SMT
    封裝 / 箱體:PowerPAK SO-8
    封裝:Reel
    通道模式:Enhancement
    下降時(shí)間:12 ns, 10 ns
    最小工作溫度:- 55 C
    上升時(shí)間:15 ns, 17 ns
    工廠包裝數(shù)量:3000
    典型關(guān)閉延遲時(shí)間:22 ns, 35 ns
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