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  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2015年01月23日
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制造商: Texas Instruments 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Vgs-柵源極擊穿電壓 : 20 V Id-連續(xù)漏極電流: 16 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12.5 mOhms Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V Qg-柵極電荷: 14 nC 最大工作溫度: + 150 C Pd-功率耗散: 2.1 W 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SOIC-8 封裝: Reel 商標(biāo): Texas Instruments 配置: Dual 下降時(shí)間: 19 ns 正向跨導(dǎo) - 最小值: 42 S 最小工作溫度: - 55 C 上升時(shí)間: 15 ns 系列: CSD88537ND 工廠包裝數(shù)量: 2500 商標(biāo)名: NexFET
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    深圳市創(chuàng)芯弘科技有限公司是一家集電子產(chǎn)品方案設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體元器件供應(yīng)商! 公司創(chuàng)辦初期，是亞太區(qū)領(lǐng)先的代理分銷商，年銷售額達(dá)3000萬。但公司為迎合客戶的需求提供全套BOM物料與技術(shù)服務(wù)：工程研發(fā)，方案設(shè)計(jì),程序編寫/燒錄，PCBA板ODM\OEM。多次為客戶設(shè)計(jì)藍(lán)牙自拍方案,藍(lán)牙自拍加防丟方案+BLE4.0透傳模組.移動(dòng)電源方案，倒車?yán)走_(dá)方案，小孩玩具，360度倒車影像方案,功放方案,話筒方案,遙控器方案,無線WIFI方案.智能手表.計(jì)步器...

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