RM3263S內(nèi)置Vds大于650V的MOSFET,采用調(diào)頻工作模式，結(jié)合原邊反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，使應(yīng)用電路更加簡單易懂，同時(shí)自身擁有線補(bǔ)功能和更好的恒壓/恒流精度，精度可達(dá)±5%,是智能手機(jī)充電器理想的電源解決方案；

在LED照明領(lǐng)域， RM3260T/3261S/3262D/3263S可根據(jù)客戶需求合理搭配適合客戶自身的應(yīng)用方案，同時(shí)其自身的多種保護(hù)功能為其方案的安全提供保障。

功能參數(shù)：

1、IC 內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，RM3260 外置Mos 、RM326x內(nèi)置

Mos .(<0X<4 )

2、RCD吸收回路無光耦、無TL431 應(yīng)用.

3、有OVP/OCP等功能.

4、CC/CV +/-5%

5、低功耗、低成本

6、高可靠性、高性能、高效率

7、效率最高可達(dá)83%

8、綠色能源（5級(jí)能效）

產(chǎn)品應(yīng)用：

1、手機(jī)充電器（5V/800mA以下）量產(chǎn)中，方案成熟

2、LED Lighting（1W~9W）量產(chǎn)中，方案成熟

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