| 型號(hào) | K4T1G084QQ-HCE7 | 廠家 | SAMSUNG |
| 封裝 | BGA | | |
產(chǎn)品詳細(xì)說(shuō)明
1GB DDR2 SDRAM組織132兆×4/ OS X
8banks，16兆×8個(gè)I / O x8banks或8Mbit的×16的I / O×8銀行
設(shè)備。此同步器件實(shí)現(xiàn)高速doubLEData，
速率傳輸速率高達(dá)800Mb/sec/pin（DDR2-800）
一般應(yīng)用.
1GB DDR2器件采用一個(gè)單一的1.8V±0.1V
電源電源和1.8V±0.1V VDDQ的。
1GB DDR2（x4/x8）60ball FBGAs和設(shè)備可用
84ball FBGAs（X16）。
免責(zé)聲明： 以上所展示的信息由企業(yè)自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布企業(yè)負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
以上是K4T1G084QQ-HCE7，供應(yīng)K4T1G084QQ-HCE7，型號(hào):K4T1G084QQ-HCE7 廠家:SAMSUNG 封裝:BGA的信息